01
SiC MOSFET 基础
宽禁带半导体优势 · SiC材料特性 · 结构与工作原理
宽禁带材料
02
寄生电容解析
Cgs, Cgd, Cds 定义与物理来源 · 米勒电容 Crss
米勒Crss
03
寄生电感与电阻
封装电感 Ls/Ld/Lg · Rds(on) 与温度特性
封装热特性
04
栅极驱动回路寄生参数
驱动回路寄生电感 · 栅极电阻 Rg 选择
驱动Rg
05
功率回路寄生参数
电压过冲 · Layout 优化降低回路电感
过冲布局
06
米勒平台与寄生导通
米勒平台形成 · Cdv/dt 误导通抑制
米勒平台误导通
07
开关损耗分析
Eon / Eoff 组成 · 寄生参数影响损耗分布
损耗Eon
08
高频振荡与 EMI
振铃成因 · RC snubber 设计 · EMI 问题
EMISnubber
09
栅极振荡与驱动优化
栅极振铃抑制 · 有源米勒钳位 · 驱动电流
钳位振铃
10
双脉冲测试 (DPT) 实战
DPT 原理与搭建 · 从波形提取寄生参数
DPT测试
11
寄生参数提取方法
Q3D/Ansys 有限元 · 双脉冲时域提取
提取仿真
12
SPICE 建模基础
行为模型 · Level 0/1/2 差异 · 参数拟合
SPICE建模
13
高频驱动电路设计
隔离驱动选型 · 驱动变压器设计
隔离驱动
14
栅极辅助电路
负压关断 · TVS/齐纳保护 · 有源钳位
保护负压
15
功率回路 Layout 优化
开尔文源极 · 回路最小化 · 多层PCB叠层
Layout开尔文
16
散热与热管理
高温特性 · 热阻模型 · 散热器与热仿真
热管理散热
17
高频磁性元件设计
高频变压器/电感 · Steinmetz 方程 · 交流电阻
磁性高频
18
谐振变换器中的 SiC
LLC 设计 · CLLC 双向 · ZVS/ZCS
LLC谐振
19
高频 Buck 变换器设计
1MHz+ Buck · SiC 应用 · Layout 实例
Buck高频
20
高频半桥与全桥设计
死区优化 · 环流抑制 · 变压器隔离
半桥全桥
21
栅极驱动变压器设计
匝比磁芯 · 漏感影响 · 共模抑制
驱动变压器共模
22
共模与差模 EMI 滤波
共模扼流圈 · X/Y电容 · 插入损耗
EMI滤波共模
23
SiC MOSFET 并联均流
均流挑战 · 栅极去耦 · 对称布局 · 温度补偿
并联均流
24
SiC 与 GaN 对比
寄生参数差异 · 频率/功率等级 · 选型指南
GaN对比
25
高温与高压应用
200°C 设计 · 爬电距离 · 绝缘配合
高温高压
26
可靠性设计
栅极氧化层 · 宇宙射线 · 雪崩/短路耐受
可靠性失效
27
短路保护设计
退饱和检测 Desat · 快速保护 · 软关断
Desat短路
28
数字控制与 SiC
高速 ADC · 数字死区补偿 · 自适应驱动
数字控制ADC
29
系统级仿真与验证
PLECS/Simulink · HIL 测试 · 效率优化
系统仿真HIL
30
综合设计案例
1kW 500kHz SiC LLC · 器件选型到样机
案例LLC